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09.07.1976 - 

Siemens experimentiert mit MOS-Speichern:

32 KBit pro Chip im wahlfreien Zugriff

MÜNCHEN - Die erreichbare Bitdichte bei Random Access Memories (RAM's), also Speichern mit wahlfreiem Zugriff, wird bei Ein-Transistor-Speicherzellen durch die Dämpfung des gespeicherten Signals während des Lesezyklus begrenzt. Die höchste Speicherdichte überhaupt wird heute mit Ladungsspeicherelementen, den sogenannten Charge-Coupled Devices (CCD's) erreicht. Diese Technologie hat allerdings einen entscheidenden Nachteil: Der wahlfreie Zugriff, der ja die RAM's auszeichnet, geht verloren.

In den Forschungslaboratorien der Siemens AG ist es nun gelungen, einen MOS-Speicher zu bauen, der bei einer Bitdichte von CCD-Speichern "Random Access" ermöglicht. Auch bei dieser Neu-Entwicklung - Siemens spricht von C³RAM (Continously Charge-Coupled Random Access Memory) - werden als Speicherelemente Ein-Transistor-Zellen verwendet, die jedoch an eine gemeinsame Übertragungsleitung angeschlossen sind, die wiederum an einem Schreib-/Lese-Verstärker hängt (Grafik).

Die theoretisch mit diesem Aufbau erreichbare Packungsdichte soll, wie die Versuche ergeben haben, bei 32-KBit für Chips mit konventionellem Gehäuse liegen.

Nach Siemens-Angaben dürfte noch "geraume" Zeit vergehen, bis C³

RAM's serienreif sind.