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25.07.1975 - 

IBM: Speicherdichte verzehnfacht

775 000 Bit pro cm² - bei 90 ns

COLORADO SPRINGS - Durch Elektronenstrahl-Lithographie erreichten IBM-Wissenschaftler eine zehnfache Vergrößerung der Packungsdichte bei experimentellen hochintegrierten Halbleiter-Schaltkreisen. Eine Dichte von 775 000 Bit (Feldeffekt-Transistoren) pro Quadratzentimeter konnte dadurch erzielt werden, daß für das Zeichnen der Schaltkreis-Masken nicht wie bisher ein Lichtstrahl, sondern ein magnetisch abgelenkter Elektronenstrahl verwendet wurde.

Bei Verbindungsleitungen von nur 1 bis 1,5 Mikrometer Breite (Aluminium) hat ein 1 K-Bytes-Speichership (Silizium-Basis) einschließlich Anschlußkontakten nur noch eine Größe von 1,1 x1,6 mm². Die Transistorzonen werden durch Implantation von Arsen-Ionen hergestellt.

Die Mikro-Miniaturisierung führte zu einer erheblichen Reduzierung des Leistungsverbrauchs und zu einer Speicherzugriffszeit von nur noch 90 Nanosekunden. -m-