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28.08.1987

An Transistoren für "Ultra-large-scale-integration (Ulsi)" entwickeln derzeit IBM-Forscher im amerikanischen Labor Yorktown Heights, New York. Die bei minus 195 Grad betriebenen Feldeffekt-Transistoren (FET) sollen Schaltzeiten im Bereich von zehn Picose

An Transistoren für "Ultra-large-scale-integration (Ulsi)" entwickeln derzeit IBM-Forscher im amerikanischen Labor Yorktown Heights, New York. Die bei minus 195 Grad betriebenen Feldeffekt-Transistoren (FET) sollen Schaltzeiten im Bereich von zehn Picosekunden ermöglichen. Von der Serienreife dieser Chips, die sich vorerst in der experimentellen Phase befinden, sei man jedoch noch weit entfernt, kommentierte ein Sprecher der IBM Deutschland.