Melden Sie sich hier an, um auf Kommentare und die Whitepaper-Datenbank zugreifen zu können.

Kein Log-In? Dann jetzt kostenlos registrieren.

Falls Sie Ihr Passwort vergessen haben, können Sie es hier per E-Mail anfordern.

Der Zugang zur Reseller Only!-Community ist registrierten Fachhändlern, Systemhäusern und Dienstleistern vorbehalten.

Registrieren Sie sich hier, um Zugang zu diesem Bereich zu beantragen. Die Freigabe Ihres Zugangs erfolgt nach Prüfung Ihrer Anmeldung durch die Redaktion.

09.11.1984 - 

Siemens AG:

Auf dem Weg zum Megabit-RAM

MÜNCHEN (pi) - Ihr 256k-RAM zeigt die in München heimische Siemens AG. 320 000 Transistoren und 2ß0000 andere Bauelemente sind auf dem Chip integriert. Das 256k-RAM speichert den Inhalt von 18 Schreibmaschinenseiten.

Vor rund zehn Jahren kamen die ersten Halbleiterspeicher für damals 1024 Bit (1 KB) auf den Markt, um Informationen aufzunehmen und wieder abzugeben. ("Schreiben/Lesen"). Der wahlweise Zugriff (Random Access Memory) ließ die Kurzbezeichnung RAM schnell zum Begriff werden, Siemens hat sich von Anfang an auf "dynamische" Speicherelemente konzentriert, bei denen die Informationen als Kondensatorladung zwar periodisch regeneriert werden müssen, die aber, höchste Integrationsdichten in der Reihe der MOS-Bausteine bieten.

Die Chronologie der dynamischen RAM ist durch Vierfachsprünge der jeweiligen Bitzahl gekennzeichnet. Nach dem 4-KB-Speicher wurden mit dem 16-KB-Baustein erstmals spektakuläre Stückzahlen erreicht. Zugleich war es mit diesem Speicher (für exakt 16 384 Bit) erstmals möglich, eine komplette A4-Seite auf einem einzigen Siliziuschip einzuschreiben. Die Zahl der Transistoren pro Quadratmillimeter war von 400 (1 KB) über 500 (4 KB) auf immerhin 1500 (16 KB) angestiegen. 36 000 Bauelemente befanden sich auf 13,7 Quadratmillimeter .

In Vierersprüngen zum 64-KB-Speicher

Nach dem nächsten Vierersprung gelang es mit dem 64-KB-Speicher, bereits 18 000 Bauelemente beziehungsweise 80 000 Transistoren auf einer bis auf 22 Quadratmillimeter reduzierten Chipfläche unterzubringen. Der 64-KB-Speicher (65 536 Bit) zählt zu den komplexesten integrierten Schaltungen, die gegenwärtig in großen Stückzahlen gefertigt werden. Im Jahr der letzten "electronica" (1982) wurden weltweit mehr als 90 Millionen Stück dieser Bausteine produziert, im Jahr darauf waren es bereits über 300 Millionen. Der 64-KB-Speicher ist damit das erste Halbleiterbauelement, das einen Weltjahresumsatz von mehr als einer Milliarde Dollar erbrachte.

Mit dem 256-KB-Speicher wird die Bitzahl auf einem Siliziumchip erneut vervierfacht (262 144 Bit). Gegenüber dem 64-KB-Speicher steigt die Integrationsdichte von 3500 auf 10 000 Transistoren pro Quadratmillimeter. Den HYB 41256/57 wird es in drei Geschwindigkeitsklassen mit Zugriffszeiten von 120, 150 und 200 Nanosekunden geben. Die Verlustleistung beträgt maximal 385 Milliwatt (aktiv) und 28 Milliwatt (standby) .

Für die Fertigung des ersten 1-Bit-Speichers will Siemens in Regensburg bis 1987 rund 330 Millionen Mark investieren. Für das Entwicklungszentrum in München-Perlach werden rund 450 Millionen Mark ausgegeben. Die Gesamtinvestitionen für das Unternehmensprojekt "Mega" werden bis zum Ende des Jahrzehnts 1,4 Milliarden Mark betragen.