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11.08.1989 - 

Hitachi produziert Hochgeschwindigkeits-DRAMs:

Dynamische Speicher so schnell wie SRAMs

HAAR (CW) - Die Leistungsfähigkeit von dynamischen Speicherbausteinen ist drastisch erhöht worden. Die Hitachi Ltd. beginnt ab September mit der Massenproduktion von 1-MBit-DRAMs, welche mit 35, 40 und 45 Nanosekunden Zugriffszeit in Bereiche der statischen Speicher hineinreichen.

Dynamische Speicherbausteine (DRAMs) setzt man in PCs für die Hauptspeicher ein. Sie müssen in regelmäßigen Zyklen durch Stromzugaben aufgefrischt werden, um so ihre elektronisch gespeicherten Inhalte dauerhaft zu halten. Bei statischen Speicherbausteinen (SRAMs) ist dieser Vorgang nicht notwendig. Die Zugriffszeiten von SRAMs sind deshalb erheblich geringer. Sie werden aus diesem Grund in PC-Hochleistungsrechnern als sogenannte Cache-Speicher dem eigentlichen Hauptspeicher vorgelagert, um Speicherzugriffe von schnellen Prozessoren besonders ab der Intel-Serie 386 zu beschleunigen. SRAMs sind allerdings sehr viel teurer als DRAMs.

Die jetzt von Hitachi produzierten schnellen DRAMs sollen nach Unternehmensangaben vor allem als Cache-Speicherbausteine verwendet werden und würden so neben vergleichbaren Geschwindigkeitscharakteristika einen erheblichen Preisvorteil bieten.

Die Fertigung der neuen Chips findet in Japan statt. Geplant ist nach Unternehmensangaben aber eine zusätzliche Produktion in Europa ab 1992. Die DRAMs werden ab dem vierten Quartal erhältlich sein.