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29.11.2007

EU genehmigt Halbleiter-Joint-Venture von Siemens und Infineon

MÜNCHEN (Dow Jones)--Die EU-Kommission hat die geplante Gründung eines Gemeinschaftsunternehmens zur Entwicklung und Fertigung von Leistungshalbleitern von Siemens AG und der Infineon Technologies AG genehmigt. Das teilte die EU-Komission am Donnerstag mit.

MÜNCHEN (Dow Jones)--Die EU-Kommission hat die geplante Gründung eines Gemeinschaftsunternehmens zur Entwicklung und Fertigung von Leistungshalbleitern von Siemens AG und der Infineon Technologies AG genehmigt. Das teilte die EU-Komission am Donnerstag mit.

Das Gemeinschaftsunternehmen heißt Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co KG und sitzt in Warstein im Hochsauerland. Dort unterhält Infineon bereits eine Halbleiter-Produktionslinie. Infineon hält mit 60% die Mehrheit der Anteile an dem Joint Venture.

Das Unternehmen soll Leistungshalbleiter, so genannte Hochleistungsthyristoren, weiterentwickeln. Diese werden bei Siemens im Bereich der der Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) eingesetzt. Mit der Beteiligung an dem Gemeinschaftsunternehmen will sich Siemens die Versorgung sichern, die ein wichtiger Baustein für den Bau von HGÜ-Anlagen sind.

Webseiten: http://www.europa.eu/ http://www.siemens.com/ http://www.infineon.de/ -Von Alexander Becker, Dow Jones Newswires;+49 (0)89 - 5521 4030, industry.de@dowjones.com DJG/abe/rio

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