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16.06.1989

IBM entwickelt schnellstes DRAN

KYOTO (IDG) - Einen superschnellen DRAM-Chip hat die IBM in ihrem Halbleiterlabor im japanischen Yasu entwickelt. Der Speicherschaltkreis (Kapazität: 1 Megabit) greift in nur 22 Nanosekunden auf Informationen zu und ist damit dreimal so schnell wie die gegenwärtige DRAM-Generation.

IBM prophezeit einen Anwendungsschub für sehr schnelle Speicher mit dem neuen Chip. Das könnte sich bewahrheiten, denn die schnellen DRAMs (Dynamic Random Access Memory) werden voraussichtlich die Kosten für solche Speichersysteme senken. Bisher mußten die Entwickler von Hochgeschwindigkeitsspeichern auf die wesentlich teureren statischen SRAM-Speichertypen zurückgreifen.