Melden Sie sich hier an, um auf Kommentare und die Whitepaper-Datenbank zugreifen zu können.

Kein Log-In? Dann jetzt kostenlos registrieren.

Falls Sie Ihr Passwort vergessen haben, können Sie es hier per E-Mail anfordern.

Der Zugang zur Reseller Only!-Community ist registrierten Fachhändlern, Systemhäusern und Dienstleistern vorbehalten.

Registrieren Sie sich hier, um Zugang zu diesem Bereich zu beantragen. Die Freigabe Ihres Zugangs erfolgt nach Prüfung Ihrer Anmeldung durch die Redaktion.

Ohne Silizium zu schnelleren Chips?

Intel kündigt neue Halbleiter an

14.11.2003
MÜNCHEN (CW) - Intel ist nach eigenen Angaben ein Durchbruch in der Halbleitertechnik gelungen. Mit Hilfe neuer Materialien könnten Chipstrukturen weiter verfeinert und damit die Leistung gesteigert werden. Das Mooresche Gesetz, wonach sich die Zahl der Transistoren auf einem Chip alle zwei Jahre verdoppelt, gelte somit auch für die nächsten Jahre, werben die Intel-Techniker.

Die neue Technik soll ab 2007 in den Fabrikationsanlagen angewandt werden. Dann planen die Intel-Verantwortlichen, ihre Chipprodukte mit Strukturbreiten von 45 Nanometern zu fertigen. Aktuell erreichen die schmalsten Strukturen auf Halbleitern eine Breite von 130 Nanometern. Mit Hilfe der verfeinerten Fertigungstechnik ließen sich mehr Transistoren auf einem Chip unterbringen und damit auch dessen Leistung steigern.

Um dies zu erreichen, mussten jedoch neue Materialien entwickelt werden, erläuterte Ken David, Forschungsdirektor von Intels Technology and Manufacturing Group, anlässlich einer Konferenz in Tokio. Vor allem mit dem Isolationsmaterial Siliziumdioxid sei man an die Grenzen des Machbaren gestoßen. Im Rahmen der aktuellen Fertigungsprozesse sei der Isolator nur noch wenige Atomlagen dick. Dies verursache allerdings hohe Leckströme, was zu einem steigenden Stromverbrauch der Chips sowie einer verstärkten Hitzeabsonderung führe.

Nach fünf Jahren Forschung habe Intel nun ein Material entwickelt, dass genauso robust wie Siliziumdioxid sei, gleichzeitig aber die Stärke der Leckströme um den Faktor 100 verringere, verspricht der Intel-Manager. Ferner ließen sich bis zu 60 Prozent Platz auf der Chipfläche einsparen, so dass künftige Prozessoren mit deutlich mehr Transistoren ausgestattet werden könnten. Allerdings habe sich das neue Material nicht mit den bestehenden polykristallinen Silizium-Elektroden vertragen. An dieser Stelle wollen die Intel-Techniker künftig mit neuartigen Metallelektroden arbeiten.

Sollten sich die Ankündigungen Intels bewahrheiten, wäre dies Experten zufolge ein merklicher Fortschritt der Chiptechnik. Für eine endgültige Bewertung würden jedoch noch zu viele Informationen fehlen, kritisiert beispielsweise Veena Misra, Professor für Computertechnik an der North Carolina State University. Sie sei enttäuscht darüber, dass Intel bislang nicht bekannt gegeben habe, um welche Materialien es sich handle. Intels Ankündigung sei daher eher als Marketing zu verstehen, bilanziert Luigi Colombo vom Konkurrenten Texas Instruments den Wert der bisher vorliegenden Informationen. Intel habe eine Menge in diese Entwicklungen investiert, weist Sunlin Chou, Senior Vice President von Intels Technology and Manufacturing Group, die Kritik zurück. Man wolle der Konkurrenz nicht die Möglichkeit bieten, von der eigenen Technik zu profitieren. (ba)