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21.02.2003 - 

Pulsierendes Magnetfeld

MRAM-Chips für Hauptspeicher

MÜNCHEN (CW) - Zum sicheren Speichern von Daten hat sich für Festplatten und Disketten das magnetische Aufzeichnungsverfahren durchgesetzt. Dabei kann auch ein Stromausfall den Informationen nichts anhaben. Bisher eignete sich diese Technik nicht für den Einsatz in Arbeitsspeichern, da der Schreibvorgang zu langsam ist. Einem Forscherteam, an dem unter anderem Wissenschaftler des Fachbereichs Physik der Universität Kaiserslautern beteiligt waren, ist es nun gelungen, einen magnetischen Speicherbaustein (MRAM) herzustellen, der auch hinsichtlich der Datentransferrate herkömmliche Hauptspeicher übertrifft. Mit Hilfe eines sehr schnell pulsierenden Magnetfelds konnten Informationen mit 100 Picosekunden auf eine Magnetschicht gebracht werden. (kk)