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05.03.1999 - 

Pipeline

Pipeline Siemens verbessert Embedded DRAM

Der Halbleiterbereich der Siemens AG konnte eigenen Angaben zufolge seine Embedded-DRAM-Technik nochmals verbessern. Statt dem bisher verwendeten 0,24-Mikrometer-Verfahren setzen die Münchner nun 0,20 Mikrometer dicke Leiterbahnen ein. Damit sollen mehr als 128 Mbit DRAM auf ein Stück Silikon passen. Einsatzgebiete sieht der Hersteller etwa in 3D-Beschleunigern oder auch in Handheld- Computern. Ähnlich wie IBM setzt Siemens auf die sogenannte Trench-Zellen-Technik, mit der sich die Integrationsdichte auf den Chips erhöhen lasse.