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25.09.1981

Plasma-Fertigungsverfahren:Halbleiter-Know-how

MÜNCHEN (pi) - Die LFE, in Europa repräsentiert durch ITS, München, plant für den 10./11. Dezember 1981 das zweite Symposium über Fortschritte in der Plasma-Fertigung von Halbleiter-Schaltkreisen.

Schon für die erste Veranstaltung dieser Art konnten praxiserprobte Referenten aus Industrie und Forschung gewonnen werden: Motorola, Harris Semiconductor, National Semiconductor, IBM, Analog Devices, Raytheon, Synertec, NCR, Sperry Univac, Sandia Laboratories und Xerox - um nur einige zu nennen - waren vertreten.

Obwohl das Programm noch nicht vollständig ist, sind jetzt schon mehr als ein Dutzend Fachvorträge angemeldet, die auf der zweitägigen Veranstaltung alle wichtigen Gebiete wie Reaktives Ionenätzen, Planares Ätzen, Barrel-Etching und -Stripping, Siliziumdioxid-Ablagerung, Siliziumdioxyd-Beschichtung und die Automatisierung der Plasma-Prozeßschritte behandeln. Besondere Aufmerksamkeit wird auch die Beeinflussung der elektrischen Parameter durch die Bearbeitung im Plasma finden. Anwender berichten über die neuesten Möglichkeiten der Herstellung integrierter Schaltungen.

Informationen: ITS GmbH, Landsberger Straße 439, 8000 München 60, Herr Erben, Telefon: 089/ 88 36 57.