Melden Sie sich hier an, um auf Kommentare und die Whitepaper-Datenbank zugreifen zu können.

Kein Log-In? Dann jetzt kostenlos registrieren.

Falls Sie Ihr Passwort vergessen haben, können Sie es hier per E-Mail anfordern.

Der Zugang zur Reseller Only!-Community ist registrierten Fachhändlern, Systemhäusern und Dienstleistern vorbehalten.

Registrieren Sie sich hier, um Zugang zu diesem Bereich zu beantragen. Die Freigabe Ihres Zugangs erfolgt nach Prüfung Ihrer Anmeldung durch die Redaktion.

01.09.2006

Prozesstechnik ist jetzt bei 45 Nanometer

Vier Hersteller haben Schaltungen realisiert, deren Leiterbahnen nur mehr 45 Nanometer breit sind.

Mit immer kleineren Strukturbreiten versuchen die Chiphersteller nicht nur Platz zu sparen, sie verringern dadurch auch die Leistungsaufnahme und die Abwärme. IBM hat zusammen mit Infineon, Samsung und Chartered die ersten funktionierenden Schaltungen in 45-Nanometer-Technik gebaut und auch ein Design-Kit entwickelt. Chipdesigner sollen so schneller in die neue CMOS-Technik einsteigen können. Basis der Anstrengungen ist die gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnik.

Die ersten 45-Nanometer-Schaltkreise wurden in East Fishkill, IBMs Fertigungsstätte für 300-Millimeter-Waver in New York, produziert. Dort ist auch das gemeinsame Forschungsteam ansässig. Ab Ende 2007 soll die Technik so weit ausgereift sein, dass auch in den Fabriken der drei anderen Mitglieder 45-Nanometer-Bausteine gefertigt werden können. Entwickler werden mit einem Design-Kit dazu animiert, ebenfalls möglichst schnell auf den neuen Low-Power-Prozess umzusteigen.

Lisa Su, Vice President für Halbleiterforschung und -entwicklung bei IBM und Leiterin der gemeinsamen Entwicklungsallianz, zu den Vorteilen der neuen Prozesstechnik: "Gegenüber den herkömmlichen 65-Nanometer-Strukturen sind die neuen Transistoren mindestens um 30 Prozent schneller." Hermann Eul, Mitglied des Vorstands von Infineon, sieht den Einsatzbereich der Low-Power-Chips vor allem in der nächsten Generation mobiler Applikationen, denn sie verbinden hohe Geschwindigkeit mit geringer Leistungsaufnahme. (kk)