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24.02.2005

Samsung baut DDR-3-Memory

Samsung hat den Prototypen eines DDR-3-Speicherchips präsentiert. Das neue Dynamic Random Access Memory (DRAM) soll 512 Mbit fassen und die Daten mit einer Geschwindigkeit von 1066 Mbit/s transferieren - laut Herstellerangaben entspricht das einer Übertragung von 8000 Zeitungsseiten in der Sekunde. Damit arbeitet der Baustein doppelt so schnell wie DDR-2-Speicher und viermal so schnell wie ein DDR-Memory. Samsung will Anfang 2006 mit der Auslieferung beginnen.