Melden Sie sich hier an, um auf Kommentare und die Whitepaper-Datenbank zugreifen zu können.

Kein Log-In? Dann jetzt kostenlos registrieren.

Falls Sie Ihr Passwort vergessen haben, können Sie es hier per E-Mail anfordern.

Der Zugang zur Reseller Only!-Community ist registrierten Fachhändlern, Systemhäusern und Dienstleistern vorbehalten.

Registrieren Sie sich hier, um Zugang zu diesem Bereich zu beantragen. Die Freigabe Ihres Zugangs erfolgt nach Prüfung Ihrer Anmeldung durch die Redaktion.

27.06.2003 - 

AMD beschleunigt Chips

Transistoren lassen Strom besser fließen

MÜNCHEN (IDG) - AMD hat auf dem VLSI Symposium im japanischen Kyoto zweierlei Transistoren der nächsten Generation vorgestellt, die auf unterschiedlichen Wegen zu mehr Leistung führen sollen. Im einen Fall wurde demonstriert, wie sich Gatter aus einer Nickel-Silizium-Verbindung mit Transistoren aus einer Germanium-Silizium-Verbindung kombinieren lassen und einen besseren Stromfluss zwischen beiden Layern erzeugen. Im anderen Fall verwendeten die Forscher die neuen Gatter in Kombination mit der Silicon-On-Insulator-Technik (SOI). Bei SOI wird ein Isoliermaterial um die Leiterbahnen gelegt, so dass weniger Strom abgeleitet wird. Mit der von AMD entwickelten "fully depleted SOI" wird die Kontrolle über den Transistorkörper verstärkt. In Kombination mit der neuen Nickel-Verbindung, die feinere Strukturen als bei Poly-Silizium-Gatter ermöglicht, kann mehr Strom fließen. (kk)