Der DRAM-Industrieausstoß ist 2005 um 50 Prozent gestiegen

17.01.2006
Mit vergleichbar 680,5 Millionen 256-Mbit-Einheiten ist der weltweite DRAM-Ausstoß 2005 um 51,6 Prozent gewachsen. DDR2, 20 mal schneller als DRAM, legte laut Industriebeobachter DRAMeXchange um 217,7 Prozent auf 237 Millionen 256-Mbit-Einheiten zu.

Mit vergleichbar 680,5 Millionen 256-Mbit-Einheiten ist der weltweite DRAM-Ausstoß 2005 um 51,6 Prozent gewachsen. DDR2, 20 mal schneller als DRAM, legte laut Industriebeobachter DRAMeXchange um 217,7 Prozent auf 237 Millionen 256-Mbit-Einheiten zu.

Im Januar 2005 machte DDR mit 317,3 Millionen 256-Mbit-Einheiten noch 70,69 Prozent der Weltproduktion aus. Im Dezember 2005 lag der Anteil von einfachen DDR-Bausteinen mit 346,7 Millionen 256-Mbit-Einheiten nur noch 50,95 Prozent der weltweit produzierten DRAM-Speicher aus.

Seit Juli 2005 mehren sich erste Zeichen, dass der weltweite DRAM-Ausstoß rückläufig ist. Als Grund dafür sieht DRAMeXchange den zunehmenden Trend, die Produktionskapazitäten auf NAND-Flash zu verlagern. (kh)

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