Forscher der Universität von Tokio haben eine neue Art von NAND-Flash entwickelt, der deutlich weniger Strom benötigt als bisher. Doch der ferroelektische NAND-Speicher bietet noch weitere Vorteile.
So soll es möglich sein, die Strukturgröße mindestens bis zu 10nm zu senken, während der bisher verwendete Speicher laut bisherigen Kenntnissen nur bis 20nm skaliert werden kann.
Der größte Vorteil des neuen ferroelektrischen Flash ist aber die Möglichkeit, einzelne Zellen bis zu 100 Millionen Mal zu beschreiben. Dies übertrifft heutigen Speicher um den Faktor 10.000 und würde Sorgen über die Lebensdauer von oft genutzten Flash-Speichern hinfällig machen. (gamestar)