Revolutionäres Chipdesign

Flash-Speicher wird pfeilschnell

17.01.2008
EETimes beschreibt im einem Artikel ein revolutionäres Speicherdesign von Joseph Ashwood, einem unabhängigen Security-Analysten. Nach eigenen Angaben verwendet Ashwood...

EETimes beschreibt im einem Artikel ein revolutionäres Speicherdesign von Joseph Ashwood, einem unabhängigen Security-Analysten. Nach eigenen Angaben verwendet Ashwood in seinem Entwurf neben dem Prinzip, nachdem moderne Multikern-Prozessoren aufgebaut sind, auch Techniken, die aus der Verschlüsselung stammen und will so Hunderte von Speicheroperationen gleichzeitig ermöglichen. Dabei werden die Speicherzellen und deren Zugriff neu organisiert und dadurch effizienter genutzt.

Dies wirkt sich auch auf die Transferrate aus. Bei DDR2 liegt sie bei zwölf GB/sec. Die neue Architektur soll bereits bei Flash-Speicher 16 GB/sec erreichen. Dies könnte besonders bei Solid-State-Festplatten einen enormen Geschwindigkeitszuwachs bedeuten, auch wenn sich die Zugriffszeiten durch neue Design von 20 bis 50 auf 50 bis 70 Nanosekunden erhöhen würden.

Ein weiterer wesentlicher Unterschied zu bisherigem Speicher ergibt sich durch den parallelen Aufbau. Je mehr Speicherzellen bei bisherigem Speicher hinzugefügt werden, umso langsamer wird er. Das Gegenteil sei beim parallelen Aufbau der Fall, je mehr Speicherzellen, desto schneller. Doppelt soviele Speicherzellen seien gleichbedeutend mit doppelter Leistung.

Allerdings existiert dies alles nach wie vor nur als Simulation. Für einen Chiphersteller wäre es jedoch kein Problem, einen Prototypen in nur drei Monaten zu entwickeln, so Ashwood.

(gamestar/bb)

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