Halbleiter: Galliumnitrat statt Silizium

11.08.2006

Die Bandlücke, der energetische Abstand zwischen Valenz- und Leistungsband, reicht bei GaN bis über 350 V/Mikrometer, bei Si-Technik nur bis 30 oder 40 V pro Mikrometer. Die Betriebstemperatur kann sich von derzeit 170 auf 400 Grad Celsius erhöhen. Die höchste maximale Oszillationsfrequenz kann von 100 auf mehrere hundert hochgehen. Voteil ist auch ein geringerer Rauschpegel bei der Funkübertragung, der mit SI-Technik bei 1 dB liegt. Hinzu kommt auch eine höhere maximale Stromstärke von 1,1 statt bisher etwa 0,5 Ampere pro Millimeter.

Die durchschnittliche Ausgangsleitung mit Si-Technik liegt im 0,1-GHz-Bereich bei etwa 60 Watt. Mit GaN kann sie auf mehrere hundert Watt hochgehen. Außerdem deckt GaN auch einen größeren Bandbereich von bis zu etwa 80 GHz ab. (kh)

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