IBM stellte gestern einen Chip für Hochgeschwindigkeitsnetzwerke vor. Mit einer Verarbeitungsgeschwindigkeit von 100 Gigabit pro Sekunde ist der Chip damit der schnellste integrierte Schaltkreis der Welt. Er arbeitet mit einer Frequenz von 110 GHz und kann Informationen innerhalb einer 4,3 billionenstel Sekunde verarbeiten. Der Chip basiert auf einer Silizium/Germanium-Technologie, die Intel zusammen mit Sierra Monolithics entwickelt hat. Erste Chips aus Si/Ge planen die beiden Unternehmen noch in diesem Jahr auf den Markt zu bringen. Zur Zeit werden Hochfrequenzschaltkreise meist aus Indiumphosphid und/oder aus Galliumarsenid aufgebaut. Diese brauchen wesentlich mehr Strom als die Si/Ge-Lösung. Deshalb eignet sich die neue Technologie besonders für mobile Geräte, wo es auf jedes Milliampere ankommt. Für Höchstfrequenzanwendungen zeichnet sich Germanium wegen seiner größeren Ladungsträgerbeweglichkeit besonders aus. Das ist schon lange bekannt, doch weil Germanium und Silizium unterschiedliche Atomradien haben, lassen sich die beiden Elemente nur mit vielen Tricks auf einem Wafer zusammenbringen. IBM ist es jetzt gelungen, durch geeignete Mischprozesse Germanium und Silizium auf einem Wafer zu integrieren. Dabei besteht der Hochfrequenzteil aus Germanium-Transistoren, während die Logikschaltkreise weiterhin aus der bekannten und inzwischen gut beherrschbaren Silizium-Technologie aufgebaut sind. (jh)
26.02.2002
IBM stellte gestern einen Chip für Hochgeschwindigkeitsnetzwerke vor. Mit einer Verarbeitungsgeschwindigkeit von 100 Gigabit pro Sekunde ist der Chip damit der schnellste integrierte Schaltkreis der Welt. Er arbeitet mit einer Frequenz von 110 GHz und kann Informationen innerhalb einer 4,3 billionenstel Sekunde verarbeiten. Der Chip basiert auf einer Silizium/Germanium-Technologie, die Intel zusammen mit Sierra Monolithics entwickelt hat. Erste Chips aus Si/Ge planen die beiden Unternehmen noch in diesem Jahr auf den Markt zu bringen. Zur Zeit werden Hochfrequenzschaltkreise meist aus Indiumphosphid und/oder aus Galliumarsenid aufgebaut. Diese brauchen wesentlich mehr Strom als die Si/Ge-Lösung. Deshalb eignet sich die neue Technologie besonders für mobile Geräte, wo es auf jedes Milliampere ankommt. Für Höchstfrequenzanwendungen zeichnet sich Germanium wegen seiner größeren Ladungsträgerbeweglichkeit besonders aus. Das ist schon lange bekannt, doch weil Germanium und Silizium unterschiedliche Atomradien haben, lassen sich die beiden Elemente nur mit vielen Tricks auf einem Wafer zusammenbringen. IBM ist es jetzt gelungen, durch geeignete Mischprozesse Germanium und Silizium auf einem Wafer zu integrieren. Dabei besteht der Hochfrequenzteil aus Germanium-Transistoren, während die Logikschaltkreise weiterhin aus der bekannten und inzwischen gut beherrschbaren Silizium-Technologie aufgebaut sind. (jh)