Die Münchener Halbleiterschmiede hat einen neue Bestleistung beim Betrieb von Elektronikbausteinen aufgestellt. Dem Unternehmen ist es gelungen, einen Silizium-Chip mit einer Betriebsfrequenz von 110 Gigahertz zu betreiben. Zum Vergleich: In modernen Notebooks werkeln vergleichbare Prozessoren derzeit mit knapp drei Gigahertz vor sich hin. Bis dato waren derartige Geschwindigkeiten nur mit Chips aus Galliumarsen möglich, die Forscher bei Infineon verwendeten bei ihren Rekord-Baustein hingegen mit Germanium angereichertes Silizium. Damit können Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden erreicht werden. Die Einsatzmöglichkeiten für diese neuartigen Elektronikbauteile sieht der Hersteller vor allem im Bereich Kommunikationstechnik. So könnten Sende- und Empfängerstationen von Richtfunkstrecken damit versehen werden und auch für WLAN-Produkte sind die Rekord-Chips geeignet. (cm)
07.07.2003
Die Münchener Halbleiterschmiede hat einen neue Bestleistung beim Betrieb von Elektronikbausteinen aufgestellt. Dem Unternehmen ist es gelungen, einen Silizium-Chip mit einer Betriebsfrequenz von 110 Gigahertz zu betreiben. Zum Vergleich: In modernen Notebooks werkeln vergleichbare Prozessoren derzeit mit knapp drei Gigahertz vor sich hin. Bis dato waren derartige Geschwindigkeiten nur mit Chips aus Galliumarsen möglich, die Forscher bei Infineon verwendeten bei ihren Rekord-Baustein hingegen mit Germanium angereichertes Silizium. Damit können Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden erreicht werden. Die Einsatzmöglichkeiten für diese neuartigen Elektronikbauteile sieht der Hersteller vor allem im Bereich Kommunikationstechnik. So könnten Sende- und Empfängerstationen von Richtfunkstrecken damit versehen werden und auch für WLAN-Produkte sind die Rekord-Chips geeignet. (cm)