Chiphersteller Intel ist es nach eigenen Angaben gelungen, einen voll funktionsfähigen SRAM- (Static Random Access Memory) Chip im 45 Nanometer-Fertigungsprozess herzustellen. Der Baustein verfügt über mehr als eine Milliarde Transistoren und dient in erster Linie als Test- und Erfahrungsmodell für die kleine Fertigung.
Die erfolgreiche Produktion des Chips sei eine "entscheidende Hürde auf dem Weg zur Massenproduktion", so Intel. Ein Vorteil der 45nm-Technik: Chips benötigen weniger Strom. Laut Intel ist es damit möglich, Bausteine herzustellen, die eine fünffach geringere Verlustleistung als heutige Modelle aufweisen. Dadurch halten Batterien mobiler Geräte länger und der Kühlaufwand sinkt. Außerdem passen bei der Produktion mehr Chips auf einen Wafer. Dies senkt die Herstellungskosten.
In Zukunft sollen 45nm-Chips in der D1D-Fabrik in Oregon sowie in Arizona (FAB 32) und Israel (FAB 28) hergestellt werden. Intel plant die Massenproduktion auf 300-Millimeter Wafern im Jahr 2007. (bb)