Speichermarkt

12.06.1996
Die Preisentwicklung bei den gängigsten DRAM-Typen hat sich auf einem niedrigen Niveau stabilisiert. Die einfache Begründung hierfür ist, daß die Preise sich den Herstellungskosten der Hersteller genähert haben. Dadurch ist absehbar, daß die Preise in den nächsten Tagen nicht weiter fallen werden. Trotzdem ist die Verunsicherung innerhalb des Marktes groß, da viele Analisten von einem eher ansteigenden Preistrend ausgehen. Der aktuelle Book-to-Bill-Index für Oktober liegt jetzt bei 1,10 und damit bei einem neuen Jahreshöchststand. Jedoch ist dabei zu berücksichtigen, daß der "Book-to-Bill" nicht repräsentativ ist, da er nur den amerikanischen Markt berücksichtigt.Michael Thedens, Transcend GmbH

Die Preisentwicklung bei den gängigsten DRAM-Typen hat sich auf einem niedrigen Niveau stabilisiert. Die einfache Begründung hierfür ist, daß die Preise sich den Herstellungskosten der Hersteller genähert haben. Dadurch ist absehbar, daß die Preise in den nächsten Tagen nicht weiter fallen werden. Trotzdem ist die Verunsicherung innerhalb des Marktes groß, da viele Analisten von einem eher ansteigenden Preistrend ausgehen. Der aktuelle Book-to-Bill-Index für Oktober liegt jetzt bei 1,10 und damit bei einem neuen Jahreshöchststand. Jedoch ist dabei zu berücksichtigen, daß der "Book-to-Bill" nicht repräsentativ ist, da er nur den amerikanischen Markt berücksichtigt.Michael Thedens, Transcend GmbH

Die gängigen Speichertypen

GLOSSAR

Dynamic Random Access Memory: DRAM ist die allgemeine Bezeichnung für dynamische Speicher. Die digitalen Informationen werden in Kodensatoren abgespeichert. Diese müssen ständig aufgefrischt ("refresht") werden, damit die darin enthaltenen Informationen nicht verloren gehen.

Fast Page Mode DRAM: Beim FPM DRAM erfolgt der Zugriff beschleunigt, wenn die angeforderte Speicheradresse innerhalb einer Page (alle Speicherzellen innerhalb einer Zeile) mit der zuvor angeforderten Adresse liegt.

Extended Data Output DRAM: Beim EDO DRAM ist der Lesezugriff schneller, da am Ausgang des Speicherchips die Daten länger anliegen können. Das heißt, der Lesevorgang wird in kürzeren Taktzyklen erledigt. EDO DRAM ist dadurch zirka fünf Prozent schneller als FPM DRAM.

Synchronous DRAM: basiert grundlegend auf einem DRAM, benutzt jedoch einen Schreib-Lese-Zwischenspeicher mit Pipeline-Architektur. SDRAM ist damit um zirka 40 Prozent schneller als EDO.

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