IBM und Infineon haben einen entscheidenden Durchbruch bei der Magnetic Random Access Memory (MRAM)- Technologie erzielt. Das neue Verfahren werde das Potenzial moderner Speichertechnologien bereits bis 2005 verdrängen, heißt es. Der neue Magnet-Chip soll bei Computern unter anderem den "Sofortstart" ermöglichen. (mf)
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