Warum entwickeln sich die Preise so sprunghaftDer Markt für Speichermodule verhält sich zyklisch. Third-Party-Hersteller wie Kingston sind auf die Zulieferung von Komponenten von DRAM-Herstellern angewiesen, die enormen Schwankungen unterliegen können. Für die Volatilität des Speichermarktes sind vor allem zwei Faktoren verantwortlich: Hohe Investitionen und der rapide technologische Wandel. Für den Bau einer DRAM-Fabrik, die technologisch bereits nach drei bis fünf Jahren wieder veraltet ist, sind Anfangsinvestitionen von ein bis zwei Milliarden Dollar und ein Zeitaufwand von bis zu zwei Jahren erforderlich. Um profitabel zu arbeiten, müssen die Produzenten die Nachfrage nach bestimmten DRAM-Typen sehr präzise vorhersehen. Tritt ein Ungleichgewicht zwischen Produktion und technologischem Übergang ein, sind die Folgen Überkapazitäten und ein Preisverfall. Die Entwicklung zwischen 1995 und 1996 zeigt den zyklischen Charakter des Marktes. Mit der Beschleunigung der technologischen Entwicklung und kürzeren Produktzyklen steigt die Wahrscheinlichkeit für die Volatilität des Marktes.
Die Preiszyklen am Memory-Markt binnen eines Jahres:
SDRAM und mehr: Die Speichergeneration der Zukunft
In den wenigen Monaten bis zur Jahrtausendwende wird sich in der Speicherlandschaft noch einiges bewegen. Schnellere Prozessoren und ständig weiterentwickelte Software-Lösungen verlangen geradezu nach immer höheren Geschwindigkeiten. Mindestens fünf der bereits auf dem Markt befindlichen oder gerade auftauchenden DRAM-Typen gehören zur neuen Generation der Speichertechnologie. Hier eine kurze Beschreibung dieser DRAMs:
Bei der EDO (Extended Data Output) DRAM-Technologie wird der Lesezyklus zwischen Speicher und CPU verkürzt. In Systemen die EDO unterstützen, kann die CPU zehn bis 20 Prozent schneller auf den Speicher zugreifen als bei vergleichbaren (fast-page) Chips.
Der SDRAM-Speicher verwendet eine Uhr, um ein- und ausgehende Signale zu synchronisieren. Bei reinen Geschwindigkeits-Tests schneidet er etwa 50 Prozent besser ab als ein EDO-Speicher und verzeichnet dabei einen Performancegewinn von 25 Prozent.
Eine schnellere Version der SDRAM-Technologie ist die sogenannten SDRAM II oder DDR-Technologie (= Double-Data-Rate), bei der sowohl im auf- als auch im absteigenden Zyklus der System-Uhr Daten gelesen werden können. Auf diese Weise gelingt die Verdopplung der Transfer-Rate.
Der DDR-Speicher bietet ohne Erhöhung der Taktfrequenz eine doppelt so hohe Geschwindigeit wie SDRAM. Der DDR-Speicher wird 1998 in Produktion gehen.
RDRAM
Ende 1996 schloß Rambus einen Entwicklungs- und Lizenzvertrag mit Intel ab, so daß die PC-Chipsätze von Intel ab 1999 Rambus-Speicher unterstützen werden. In der Videokonsole von Nintendo 64(tm) wird die Rambus-Technologie bereits für 3D-Grafik und CD-Audio eingesetzt. Auch in Standard-PCs von Gateway(r) und Micron(r) sowie auf Add-In-PC-Karten von Herstellern wie Creative Labs(r) wird Rambus-Speicher schon genutzt. Benutzer von RDRAM profitieren von einer Datenübertragungsgeschwindigkeit, die um den Faktor 3 höher ist als sonst auf dem Markt befindliches.
Die Entwicklung der SLDRAM-Module wurde von einem Konsortium von zwölf DRAM- und System-Herstellern koordiniert und wird sich unter Umständen hinsichtlich der Geschwindigkeit als der ernsthafteste Konkurrent für Rambus erweisen. SLDRAM ist eine Weiterentwicklung der SDRAM-Architektur, bei der das aktuelle Design mit vier Bänken auf 16 Bänke erweitert wird. SLDRAM befindet sich zur Zeit in Entwicklung und soll 1999 in Produktion gehen.
Der Abbildung ist die weitere Entwicklung dieser aufstrebenden Technologien zu entnehmen.
Quelle: AICE - American IC Exchange - Juli 1997 Marina Sajitz, Kingston Technology