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22.04.2008

Micron und Nanya vereinbaren DRAM-Joint-Venture

FRANKFURT (Dow Jones)--Die beiden Halbleiterhersteller Micron Technology Inc und Nanya Technology Corp haben einen Vertrag zur Entwicklung eines Joint Venture für Speichertechnik unterschrieben. Das Gemeinschaftsunternehmen soll MeiYa Technology Corp heißen, teilten die Unternehmen mit. Als Teil der Vereinbarung werde eine 200-mm-Fertigungseinrichtung von Nanya in Taiwan auf den industriellen Standard einer 300-mm-Fertigungseinrichtung ausgebaut.

FRANKFURT (Dow Jones)--Die beiden Halbleiterhersteller Micron Technology Inc und Nanya Technology Corp haben einen Vertrag zur Entwicklung eines Joint Venture für Speichertechnik unterschrieben. Das Gemeinschaftsunternehmen soll MeiYa Technology Corp heißen, teilten die Unternehmen mit. Als Teil der Vereinbarung werde eine 200-mm-Fertigungseinrichtung von Nanya in Taiwan auf den industriellen Standard einer 300-mm-Fertigungseinrichtung ausgebaut.

Die Arbeiten sollen noch dieses Jahr beginnen, so dass die Einrichtung 2009 in Produktion gehen kann. Neben MeiYa werden sich die beiden Partner gemeinsam an der Entwicklung von Zukunftstechnologien beteiligen. Zunächst werden beide Muttergesellschaften 50% des Joint Ventures besitzen und bis Ende 2009 jeweils 550 Mio USD in bar beisteuern, wie aus der Mitteilung weiter hervorgeht. Das Geschäft unterliege handelsüblichen Abschlussbedingungen, einschließlich der behördlichen Genehmigung in Taiwan; der Abschluss werde in den nächsten Monaten erwartet.

Nanya betreibt bereits mit Qimonda seit 2003 ein 50:50-Joint-Venture. In der Inotera Memories Inc wird bei Technologie und Produktion zusammengearbeitet. Qimonda ist ein Tochterunternehmen der Infineon Technologies AG. Nanya erwägt derzeit, Inotera komplett zu übernehmen.

Webseiten: http://www.micron.com http://www.ntc.com.tw DJG/nas/brb

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