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26.02.2008

Qimonda stellt DRAM-Roadmap bis zur 30-nm-Generation vor

MÜNCHEN (Dow Jones)--Die Qimonda AG, München, treibt die Entwicklung ihres Produktportfolios voran. Der Anbieter von Speicherchips stellte am Montagabend die Technologie-Roadmap bis zur 30nm-Generation für DRAM-Speicherchips mit Zellgrößen von bis zu 4F2 vor. Die Buried-Wordline-DRAM-Technologie von Qimonda kombiniere hohe Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chipgrößen, teilte das Unternehmen mit.

MÜNCHEN (Dow Jones)--Die Qimonda AG, München, treibt die Entwicklung ihres Produktportfolios voran. Der Anbieter von Speicherchips stellte am Montagabend die Technologie-Roadmap bis zur 30nm-Generation für DRAM-Speicherchips mit Zellgrößen von bis zu 4F2 vor. Die Buried-Wordline-DRAM-Technologie von Qimonda kombiniere hohe Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chipgrößen, teilte das Unternehmen mit.

Die Technologie werde nun für Strukturbreiten von 65 nm eingeführt. Der Produktionsbeginn für 1-Gbit-DDR2-Speicherchips sei für die zweite Jahreshälfte 2008 geplant. Die Massenfertigung der 46nm-Buried-Wordline-Technologie werde für die zweite Jahreshälfte 2009 angestrebt. Die Strukturbreite ermögliche mehr als doppelt so viele Bits pro Wafer im Vergleich zur 58nm-Trench-Technologie.

Im Zuge der Umstellung von der aktuellen Trench-Technologie auf die Buried- Wordline-Technologie erwarte Qimonda einen zusätzlichen, einmaligen Investitionsaufwand von 100 Mio EUR in den Geschäftsjahren 2009 und 2010. Dieser werde voraussichtlich über den Cash-Flow finanziert werden. Der zusätzliche Investitionsaufwand resultiere aus der Kombination von Qimondas Buried Wordline und vereinfachten Fertigungsprozessen mit einem marktüblichen Stack Kondensator.

Laut Vorstandsvorsitzendem Kin Wah Loh eröffnet der Schritt dem Unternehmen auch die Möglichkeit zu weiteren Partnerschaften.

Webseite: http://www.qimonda.com DJG/bam/brb

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