Samsung stellt 4-Gbit-OneNAND-Flash-Speicher vor

25.04.2005
Der koreanische Halbleiterhersteller Samsung Electronics hat die Entwicklung eines 4-Gbit-OneNAND-Flash-Speichers abgeschlossen, berichtet der Tecchannel.

Der koreanische Halbleiterhersteller Samsung Electronics hat die Entwicklung eines 4-Gbit-OneNAND-Flash-Speichers abgeschlossen, berichtet der Tecchannel.

Weiter heißt es in der ComputerPartner-Schwesterpublikation: "Der Quad-Die-Package-Speicher besteht aus vier 1-Gbit-Chips in 90-nm-Technologie und soll ab Juli 2005 in Stückzahlen verfügbar sein.

Mit dem jüngsten Spross der OneNAND-Flash-Baureihe erweitert Samsung seine Produktpalette an OneNAND-Speicherchips von derzeit 128 Mbit bis auf 4 Gbit. Der Speicherhersteller entwickelte die OneNAND-Technologie speziell für Mobiletelefone, PDAs und Digitalkameras. Der Speicher arbeitet mit einer Betriebsspannung von 1,8 Volt und begnügt sich im Vergleich zu herkömmlichen 3,3-Volt-Speichern mit der halben Leistungsaufnahme.

OneNAND-Chips: Samsung erhöht mit dem Quad-Die-Package-Verfahren die Speicherkapazität der OneNAND-Speicherbausteine auf insgesamt vier Gbit."

Hier noch einige Anmerkungen: "Quad" bezeichnet hier eine Vierergruppe von Chips und hat mit der Samsung-Verlosung von zwei Quads (Vierrad-Motorädern) im Rahmen des jüngst ausgelobten Verkaufwettbewerbs "Benefit Galaxy" nichts zu tun.

Hinzuzufügen ist auch noch, dass 4-Gbit-OneNand-Chips mit einem Datendurchsatz von 108 MB/s viermal schneller sein sollen als herkömmliche NAND-Flash-Speicher. Die Schreibgeschwindigkeit ist mit 10 MB/s angegeben und damit 60 Mal so schnell wie die von NOR-Flash-Memory. NAND (Not And) und NOR (Not Or) bezeichnen unterschiedliche Aufbauten des internen Speichers. NAND-Speicher setzten sich bei Handys und PDAs aus oben genannten Gründen immer mehr durch. (kh)

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