Galliumnitrat-Halbleiter werden bisher vornehmlich bei LEDs eingesetzt, sollen aber auch kleinere, energiesparende Transistoren für eine Reihe von anderen Anwendungen ermöglichen, nachdem die Silizium-Technik schon an ihre Grenzen stößt.
Den Anfang von Galliumnitrat machten laut einem Bericht bei "NE Asia Online" 1993 blaue LEDs, die bei LCDs einen breiteren Farbraum ermöglichen sollen. 1996 folgte die Entwicklung von weißen LEDs für farbige Handy-Displays. Die 1999 entwickelten blauvioletten Halbleiterlaser ließen später die Entwicklung von Blu-Ray und HD-DVD mit weit höheren Kapazitäten als herkömmliche DVDs zu.
2005 kamen die ersten Transistoren mit GaN bei Hochleistungsverstärkern für Mobilfunkbasisstationen auf. Die Basisstationen können so wesentlich kleiner gebaut werden.
Für 2008 werden mit GaN die ersten Transistoren und Dioden in Stromschaltkreisen erwartet. Herauskommen sollen kleinere Stromversorgungseinheiten bis hin zu kleineren Hybrid- und Elektromotoren, die für 2010 erwartet werden.
In Stromkreisen mit Silizium-Tehcnik wird es zunehmend schwieriger den Leistungsverlust zu reduzieren. Und nachdem die Leistungsdichte sich in den letzten 20 Jahren pro Jahrzehnt verfünffacht oder sogar versechsfacht hat, sind Verbesserungen kaum mehr möglich. GaN soll den Flaschenhals durchbrechen helfen.