Fujitsu Labors haben spezielle Galliumnitrid-Transistoren entwickelt, die effizientere Netzteile in Aussicht stellen. Der Stromfluss wird im Standby-Modus komplett unterbrochen, während die Technologie gute Leistungsmerkmale im Betriebszustand verspricht. Die Entwicklung hat Fujitsu zufolge das Potenzial, die Verlustleistung bei Elektronik um ein Drittel zu reduzieren und sich damit auch dramatisch auf den Gesamtverbrauch auszuwirken. Als Nebeneffekt stellt die im Rahmen der Device Research Conference vorgestellte Entwicklung auch deutlich kompaktere Netzteile beispielsweise für Notebooks in Aussicht.
Der Standby-Modus moderner Geräte führt zu einem unnötigen Stromverbrauch, dem teils schon mit speziellen Geräten wie "100%Off" der Kampf angesagt wurde. Netzteile, die auf herkömmliche Silizum-Transistoren setzen, verursachen aber auch im hohe Verluste, so Fujitsu. Sogenannte "High Electrom-Mobility Transistors" (HEMTs) aus Galliumnitrid (GaN) seien daher schon lange im Blickpunkt der Forschung gestanden, da sie Verluste im Betrieb auf weniger als ein Fünftel senken können.
Bislang sei bei GaN-Transistoren aber eine negative Gate-Spannung für den Standby-Modus nötig gewesen - was eine Stromverschwendung bedeutete. Nun haben Fujitsu-Forscher eine spezielle Struktur für diese Transistoren entwickelt, durch die der Stromfluss im Standby-Modus ohne angelegte Spannung komplett unterbrochen wird. Im Betriebszustand kann dem Unternehmen zufolge aber dennoch eine hohe Stromdichte erreicht werden. Damit sieht Fujitsu die ersten GaN-HEMTs für Netzteile realisiert.
Die Entwicklung soll äußerst sparsame Netzteile ermöglichen. Fujitsu schätzt beispielsweise, dass der Einsatz der Technologie in japanischen Rechenzentren deren gesamten Stromverbrauch um zwölf Prozent reduzieren würde. Das liege neben dem direkt gesenkten Verbrauch auch an einem verringerten Kühlbedarf. Außerdem betont Fujitsu, dass die neuen Transistoren eine Hochfrequenz-Performance bieten, die kompaktere Netzteile ermöglicht.
Das ist auch für Endkunden interessant, denn die Größe der Wechselstrom-Adapter für Notebooks beispielsweise könnte Fujitsu zufolge auf rund ein Zehntel der aktuellen Dimensionen reduziert werden. Ein wenig wird es aber noch dauern, ehe stromsparende Kompakt-Netzteile Realität werden. Die Herstellung von Geräten auf Basis der neuen GaN-Transistoren wird für 2011 angestellt. (pte/rw)