Auf den ab heute in Japan stattfindenen VLSI-Symposien stellte die gemeinsame Forschungsgruppe von IBM und Infineon ihre Fortschritte bei magnetischen Halbleiterspeichern vor. Sie präsentierte den ersten MRAM-Kern eines 128 Kbit-Speichers, der in 0,18 Mikrometer-Technologie gefertigt werden kann.Solche Speicher sollen ab 2005 in Serie gebaut werden und in Konkurrenz zu den herkömmlichen Speicherchips treten können. Die Vorteile eines magnetischen Speichers liegen klar auf der Hand. Nach Abschalten des Stromes behält ein MRAM-Speicher alle Informationen. Außerdem soll er in der Geschwindigkeit zwischen einem SRAM und einem DRAM liegen. Ein mit diesen Speicherelementen ausgerüsteter PC bräuchte weder heruntergefahren noch gebootet werden. Nach dem Einschalten befinden sich alle Daten noch im Hauptspeicher. Der Anwender könnte dort mit seiner Arbeit fortfahren, wo er zuvor aufgehört hätte.(jh)
11.06.2003
Auf den ab heute in Japan stattfindenen VLSI-Symposien stellte die gemeinsame Forschungsgruppe von IBM und Infineon ihre Fortschritte bei magnetischen Halbleiterspeichern vor. Sie präsentierte den ersten MRAM-Kern eines 128 Kbit-Speichers, der in 0,18 Mikrometer-Technologie gefertigt werden kann.Solche Speicher sollen ab 2005 in Serie gebaut werden und in Konkurrenz zu den herkömmlichen Speicherchips treten können. Die Vorteile eines magnetischen Speichers liegen klar auf der Hand. Nach Abschalten des Stromes behält ein MRAM-Speicher alle Informationen. Außerdem soll er in der Geschwindigkeit zwischen einem SRAM und einem DRAM liegen. Ein mit diesen Speicherelementen ausgerüsteter PC bräuchte weder heruntergefahren noch gebootet werden. Nach dem Einschalten befinden sich alle Daten noch im Hauptspeicher. Der Anwender könnte dort mit seiner Arbeit fortfahren, wo er zuvor aufgehört hätte.(jh)