IBM und Infineon basteln an "MRAM"-Speicher

11.12.2000
Wenn es nach IBM und Infineon geht, darf sich die IT-Landschaft demnächst auf einen neuen Speichertyp gefasst machen. Die be Unternehmen arbeiten nämlich an der Entwicklung von "Magnetic Random Access Memory" (MRAM). Bei dieser Art der Speicherung werden die Daten nicht mit elektrischen Ladungen, sondern mit Hilfe von Magnetfeldern gesichert. MRAM-Chips sollen dadurch schneller beim Datenzugriff und preisgünstiger in der Herstellung sein. Und nicht zu vergessen: Die Daten blieben selbst bei einem Stromausfall erhalten. Die be Unternehmen hoffen, im Jahr 2004 die ersten MRAMs ausliefern zu können. (tö)

Wenn es nach IBM und Infineon geht, darf sich die IT-Landschaft demnächst auf einen neuen Speichertyp gefasst machen. Die be Unternehmen arbeiten nämlich an der Entwicklung von "Magnetic Random Access Memory" (MRAM). Bei dieser Art der Speicherung werden die Daten nicht mit elektrischen Ladungen, sondern mit Hilfe von Magnetfeldern gesichert. MRAM-Chips sollen dadurch schneller beim Datenzugriff und preisgünstiger in der Herstellung sein. Und nicht zu vergessen: Die Daten blieben selbst bei einem Stromausfall erhalten. Die be Unternehmen hoffen, im Jahr 2004 die ersten MRAMs ausliefern zu können. (tö)

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