Intel: 65 Nanometer Technologie kurz vor dem Einsatz

Erste, voll funktionstüchtige SRAM-Bausteine (Static Random Access Memory), basierend auf der kommenden 65 Nanometer Technologie, wurden von Intel hergestellt. Laut eigenen Angaben liegt das Unternehmen damit voll im Zeitplan und will diesen Fertigungsprozess planmäßig ab 2005 auf 300 mm Wafern in der Massenproduktion zum Einsatz bringen. Der neue 65 Nanometer Fertigungsprozess zeichnet sich durch Transistoren aus, die nur noch 35 Nanometer lang sind (Gatelänge). In der Massenproduktion werden sie damit die kleinsten Hochleistungstransistoren auf CMOS-Basis sein. Zum Vergleich: Die modernsten Transistoren, die derzeit in Pentium 4 Prozessoren eingesetzt werden, messen 50 Nanometer. Voll funktionstüchtige 4 Megabit SRAM Bausteine mit einer winzigen Fläche von 0,57 Quadratmikrometern werden bereits produziert. Die SRAM-Bausteine seien, laut Intel sehr robust und sollen einen zuverlässigen Rauschabstand aufweisen, was ein effizientes Umschalten der Transistoren erlaube. Jede SRAM Zelle besteht aus sechs Transistoren. Zehn Millionen dieser Transistoren würden auf einem Quadratmillimeter Platz finden und somit etwa auf die Spitze eines Kugelschreibers passen. (jh)