Leistungswahn ohne Ende: TSMC forciert die 0,10-Mikron-Technologie

12.10.2001
Während der PC-Markt schon an den über Gebühr hohen Prozessorleistungen le, geht der Performance-Irrsinn immer weiter. Da nützt wohl auch nicht, dass sich AMD für neue Benchmarks stark machen will.Morris Chang, Chairman von Taiwan Semiconductor (TSMC) hat am Mittwoch auf dem internationalen Symposium on Semiconductor Manufacturing angekündigt, dass sein Unternehmen mit Hochdruck an der Entwicklung der 0,10-Mikron-Technologie arbeite. Der weltgrößte OEM-Halbleiterhersteller ziele damit in erster Linie auf System-on-a-Chip-Designs (SoC) für hochintegrierte Produkte wie GPRS-Handys. Im März 2000 war es der taiwanischen Chipschmiede (Foundry) als erstem Hersteller gelungen, in Strukturdichten von 0,13 Mikron (µm=Millionstel Meter) vorzustoßen. Bis dato werden die meisten Chips noch in der 0,18-µm gefertigt. Je feiner die Struktur, desto mehr Transistoren lassen sich pro Flächeneinheit unterbringen, desto geringer der Stromverbrauch und desto kürzer die Signallaufzeiten. Und das beste: desto mehr Chips passen auf einen Wafer. Das hat zur Folge, dass auch höhere Taktfrequenzen möglich sind und die Chips sich billiger produzieren lassen. Intel und AMD bauen in ihren Roadmaps schon auf die 0,10-µm-Technologie und haben für die nächsten ein bis zwei Jahre Prozessoren mit zehn Gigahertz angekündigt.Die ersten Pläne zum Bau von Chips auf Grundlage der 0,10-µm-Technologie hatte Ende letzten Jahres bereits NEC unterbreitet. Als der angeschlagene japanische Elektronikriese sich aber aus der weltweiten Chipproduktion zurückziehen musste, folgte im Juli 2001 die Ankündigung, bei der Entwicklung mit TSMC zusammenzuarbeiten. Chang zufolge sollen die ersten Chips mit dieser hohen Strukturdichte bereits im zweiten Quartal 2002 auf den Markt kommen. Einige Entwickler denken derweil schon weiter. So hat das 1998 gegründete kalifornische Unternehmen ACM Research letztes Jahr bereits Pläne vorgestellt, durch spezielle Verarbeitungsprozesse in Bereiche von 0,035 µm vorzudringen. Bis zur Serienreife werden jedoch noch etliche Jahre vergehen. (kh)

Während der PC-Markt schon an den über Gebühr hohen Prozessorleistungen le, geht der Performance-Irrsinn immer weiter. Da nützt wohl auch nicht, dass sich AMD für neue Benchmarks stark machen will.Morris Chang, Chairman von Taiwan Semiconductor (TSMC) hat am Mittwoch auf dem internationalen Symposium on Semiconductor Manufacturing angekündigt, dass sein Unternehmen mit Hochdruck an der Entwicklung der 0,10-Mikron-Technologie arbeite. Der weltgrößte OEM-Halbleiterhersteller ziele damit in erster Linie auf System-on-a-Chip-Designs (SoC) für hochintegrierte Produkte wie GPRS-Handys. Im März 2000 war es der taiwanischen Chipschmiede (Foundry) als erstem Hersteller gelungen, in Strukturdichten von 0,13 Mikron (µm=Millionstel Meter) vorzustoßen. Bis dato werden die meisten Chips noch in der 0,18-µm gefertigt. Je feiner die Struktur, desto mehr Transistoren lassen sich pro Flächeneinheit unterbringen, desto geringer der Stromverbrauch und desto kürzer die Signallaufzeiten. Und das beste: desto mehr Chips passen auf einen Wafer. Das hat zur Folge, dass auch höhere Taktfrequenzen möglich sind und die Chips sich billiger produzieren lassen. Intel und AMD bauen in ihren Roadmaps schon auf die 0,10-µm-Technologie und haben für die nächsten ein bis zwei Jahre Prozessoren mit zehn Gigahertz angekündigt.Die ersten Pläne zum Bau von Chips auf Grundlage der 0,10-µm-Technologie hatte Ende letzten Jahres bereits NEC unterbreitet. Als der angeschlagene japanische Elektronikriese sich aber aus der weltweiten Chipproduktion zurückziehen musste, folgte im Juli 2001 die Ankündigung, bei der Entwicklung mit TSMC zusammenzuarbeiten. Chang zufolge sollen die ersten Chips mit dieser hohen Strukturdichte bereits im zweiten Quartal 2002 auf den Markt kommen. Einige Entwickler denken derweil schon weiter. So hat das 1998 gegründete kalifornische Unternehmen ACM Research letztes Jahr bereits Pläne vorgestellt, durch spezielle Verarbeitungsprozesse in Bereiche von 0,035 µm vorzudringen. Bis zur Serienreife werden jedoch noch etliche Jahre vergehen. (kh)

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