Infineon Technologies und Micron Technology haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Bei CellularRAM handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen. Das CellularRAM ist anschlusskompatibel zu SRAMs, braucht aber keinen Refresh. Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Die Speicherzelle mit DRAM-Architektur benötigt deshalb nur etwa ein Zehntel der Fläche einer entsprechenden 6-Transistor-SRAM-Zelle. Die so reduzierte Chipfläche bietet für zukünftige Mobilapplikationen eine deutlich größere Speicherkapazität bei günstigeren Kosten. Die neuen Speicher arbeiten mit bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 210 MB/s.Infineon und Micron haben aber nur die Spezifikationen für den neuen Speichertyp festgelegt. Sie werden anschluss- und funktionskompatible Produkte herstellen, dabei jedoch auf eigene Prozess-Technologien zurückgreifen. Im Verlauf der nächsten 12 Monate werden die ersten Bausteine auf den Markt kommen.(jh)
26.06.2002
Infineon Technologies und Micron Technology haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Bei CellularRAM handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen. Das CellularRAM ist anschlusskompatibel zu SRAMs, braucht aber keinen Refresh. Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Die Speicherzelle mit DRAM-Architektur benötigt deshalb nur etwa ein Zehntel der Fläche einer entsprechenden 6-Transistor-SRAM-Zelle. Die so reduzierte Chipfläche bietet für zukünftige Mobilapplikationen eine deutlich größere Speicherkapazität bei günstigeren Kosten. Die neuen Speicher arbeiten mit bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 210 MB/s.Infineon und Micron haben aber nur die Spezifikationen für den neuen Speichertyp festgelegt. Sie werden anschluss- und funktionskompatible Produkte herstellen, dabei jedoch auf eigene Prozess-Technologien zurückgreifen. Im Verlauf der nächsten 12 Monate werden die ersten Bausteine auf den Markt kommen.(jh)