Rahmen des aus EU-Mitteln finanzierten VERSATILE-Projekts unter Federführung des Laboratorio Nazionale MDM wird fieberhaft nach einer geeigneten Nachfolgetechnologie für EEPROM-Flash-Speicher gesucht. Daher haben Experten aller beteiligten Forschungseinrichtungen im Rahmen der Entwicklerkonferenz IEEE Nano 2009 in Genua bis 30. Juli 2009 auch über Vor- und Nachteile von PCRAM-Chips (Phase-Change-Random-Access-Memory) beraten. Phasenwechsel-Halbleitermaterialien sollen in Verbindung mit einer speziellen Chip-Architektur eine der vielversprechendsten Lösungen für die Herstellung nicht-flüchtiger RAM-Speicher sein.
"Die Flash-Speichertechnologie ist gewissen Grenzen unterworfen. Es wird immer schwieriger, die Speicherkapazität von immer kompakter werdenden Chips zu erhöhen", sagt Grazia Tallarida, Projektkoordinatorin vom MDM. Phasenwechselmaterialien, die es erlaubten, binäre Information durch Änderung ihrer elektrischen Eigenschaften abzuspeichern, böten dagegen enorme Entwicklungsmöglichkeiten.
Anders als bei herkömmlichen RAM-Speichern wie DRAM- oder SRAM-Chips sind bei nicht-volatilen RAM-Speicher-Technologien wie PCRAM oder MRAM keine zusätzlichen Vorkehrungen wie Batterien für ein nicht flüchtiges Speicherverhalten nötig. Die abgelegten Informationen bleiben aufgrund physikalischer Effekte auch ohne das Anlegen einer Spannung erhalten. PCRAM-Speicherzellen bestehen aus einem Auswahltransistor und einem auf Phasenwechsel-Halbleitermaterial basierenden resistiven Speicherelement.