Samsung schätzt, der Markt für acht Gbit und 16 Gbit fassendes NAND Flash werde um das 2,5fache im kommenden Jahr wachsen. Das Unternehmen will die derzeit verwendete 70nm Single Level Cell (SLC)-Produktion 2006 auf Multi Level Cell umstellen. 2007 sollen 16-Gbit-Flash-Speicher in 55nm gefertigt werden, berichtet die chinesische Tageszeitung Economic Daily News.
In den kommenden Jahren will Samsung die Speicherkapazität vervierfachen und plant derzeit ein 32-GByte-NAND-Flash-Laufwerk für Desktop PC. Hwang Chang-Gyu, Chef des Halbleiterzweigs von Samsung, hat bereits im Juni eine Kapazität von 100 GByte innerhalb weniger Jahre angekündigt. (tecchannel/cm)