Sowohl die Durchkontaktierungen (Vias) der bis zu 8fachen Metall-Layer in Prozessoren als auch die Leitungen könnten ersetzt und damit die Verlustwärme und thermische Ausdehnung stark reduziert werden.
Um diese Röhrchen gezielt einzusetzen, können sie mittlerweile mit Hilfe von einem in der Halbleiterindustrie erprobten Verfahren definiert an bestimmten Koordinaten auf einem Wafer gezüchtet werden. Auch gibt es bereits Verfahren, um metallische und die halbleitenden Röhrchen voneinander zu separieren und p-dotierte zu n-dotierten Röhrchen zu migrieren.