Zwischen den einzelnen Layern kommt eine Isolationsschicht mit einem niedrigen Dielektrizitätswert (Low-K) zur Anwendung, um die Kapazität und damit die Verlustleistung gering zu halten.
Ist die Spannung am Gate nicht ausreichend, um die Source-Drain-Strecke zu sperren, so ist diese minimal leitend - obwohl der Transistor eigentlich sperren sollte. Eine weitere Ursache für Leckströme sind schadhafte Übergänge ins Substrat. Damit gibt es drei Hauptursachen für Leckströme:
-
die Gate-Isolierschicht beim Transistor
-
die Source-Drain-Strecke (Sub threshold)
-
Leckströme in das Substrat (Junction)
Bei einer halben Milliarde Transistoren pro Prozessor macht es daher Sinn, den einzelnen Transistor zu optimieren, möchte man Verlustleistung und Wärme gering halten und die Taktrate weiter steigern.